　SIMOX 技術の開発において超高圧電子顕微鏡が有効に利用されている。
　SIMOX 技術とは、酸素イオンを高濃度に Si 基板へ注入し Si の融点近くで熱処理
することにより BOX 層を形成し、その上に SOI 層を形成する技術である。この技術
は CMOS 作成の要素技術として注目されている。
　本支援では、SIMOX 技術の基本を理解するために、高濃度格子欠陥の高温領域
での振舞いを解析した。
　

　このような観察を異なる注入条件の
試料に対して行い、連続的な BOX 層
が形成される注入条件の下での BOX
層の厚さ及び SOI 層の厚さを注入、
エネルギー函数として求めた結果が
右図である。