静電気は半導体デバイスの大敵で、しばしば静電破壊による断線不良を
発生させる。超高圧電子顕微鏡を用いた立体観察により、静電気による
Wプラグの発熱でコンタクト領域真上に空洞（void)が生じること、その体積は
約0.25μm3であることが分かった。
　これより破壊のエネルギーを推定できるため、静電気に強い半導体デバイスを
設計する為の指針が得られる。